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2025-10
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532nm單頻光纖激光器
532nm測試參數(shù)
|
產(chǎn)品名稱 |
532nm單頻光纖激光器 |
|
P/N |
CoSF-FC-D-532 |
|
工作模式 |
單頻 單縱模 |
|
輸出光纖 |
空間準直輸出 |
|
尺寸 |
532nm倍頻頭：350mm X99mm X60mm 激光器：482mmX133mmX540mm |
|
參數(shù) |
技術(shù)指標 |
|
供電電源 |
220VAC |
|
測試溫度 |
25℃ |
|
環(huán)境濕度 |
<90% |
|
預(yù)熱時間 |
<30 minutes |
1064nm基頻光測試結(jié)果
|
技術(shù)參數(shù) |
單位 |
技術(shù)指標 |
測試結(jié)果 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||
|
中心波長 |
nm |
1063.7 |
1064 |
1064.3 |
1064.0120(可調(diào)) |
|
調(diào)諧精度 |
pm |
- |
1 |
- |
0.3 |
|
輸出線寬 |
kHz |
- |
- |
20 |
<5 |
|
輸出功率 |
W |
- |
- |
30 |
30 |
|
光束質(zhì)量M2 |
|
- |
- |
1.3 |
<1.1 |
|
輸出光斑大小 |
mm |
- |
- |
- |
1.20 |
|
發(fā)散角 |
mrad |
- |
- |
- |
1.5 |
|
輸出RIN噪聲 （RMS 10Hz~500MHz） |
% |
|
|
0.05 |
6.0X10-8 |
|
輸出隔離度 |
dB |
25 |
- |
- |
30 |
|
工作溫度 |
℃ |
0 |
- |
50 |
Pass |
|
存儲溫度 |
℃ |
-45 |
- |
65 |
Pass |
|
輸出光譜 |
|
|
圖1 |
||
|
輸出線寬 |
|
|
圖2 |
||
|
輸出M2 |
|
|
圖3 |
||
|
輸出RIN |
|
|
圖4 |
||
|
輸出光斑大小和光斑圓度 |
|
|
圖5 |
||
|
不同基頻波長對應(yīng)的光柵溫度和最佳晶體溫度 |
|
|
表1 |
||
532nm倍頻測試結(jié)果
|
技術(shù)參數(shù) |
單位 |
技術(shù)指標 |
測試結(jié)果 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||
|
中心波長 |
nm |
531.85 |
532 |
532.15 |
532.0060 |
|
532nm輸出線寬 |
kHz |
- |
- |
20 |
<10 |
|
輸出功率 |
W |
- |
- |
10 |
10.2 |
|
光束質(zhì)量M2 |
|
- |
- |
1.3 |
<1.3 |
|
輸出光斑大小 @出光口0.5m處 |
mm |
- |
0.8 |
- |
0.806 |
|
輸出光斑圓度 |
|
0.9 |
- |
1.1 |
0.93 |
|
發(fā)散角（半角） |
mrad |
- |
- |
0.6 |
0.42 |
|
像散 |
% |
- |
- |
15 |
1.6 |
|
輸出PER |
dB |
20 |
- |
- |
>30 |
|
輸出RIN噪聲 （RMS 10Hz-500MHz） |
% |
|
|
0.05 |
6.0X10-8 |
|
輸出功率穩(wěn)定性 @1H（RMS） |
% |
- |
- |
0.75 |
0.3@1H |
|
工作溫度 |
℃ |
0 |
- |
50 |
Pass |
|
存儲溫度 |
℃ |
-45 |
- |
65 |
Pass |
|
輸出光斑大小和光斑圓度 |
|
|
圖6 |
||
|
輸出功率穩(wěn)定性@8H |
|
|
圖7 |
||
▲ 圖1：1064nm輸出光譜 ▲ 圖2： 1064nm輸出線寬
▲ 圖3：1064nm輸出M2 ▲ 圖4：1064nm輸出RIN
▲ 圖5：532nm輸出光斑大小和光斑圓度 ▲ 圖6：532nm輸出光斑大小和光斑圓度
▲ 圖7：532nm輸出功率穩(wěn)定性@8H
表1：1064nm基頻波長對應(yīng)的光柵溫度和最佳晶體溫度
|
基頻光波長(nm) |
濾波光柵溫度(℃) |
最佳倍頻晶體溫度(℃) |
|
1063.7 |
16.2 |
34.3 |
|
1063.8 |
19.5 |
35.3 |
|
1063.9 |
23.5 |
36.5 |
|
1064 |
26.4 |
37.65 |
|
1064.1 |
29.5 |
38.75 |
|
1064.2 |
32.6 |
39.85 |
|
1064.3 |
35.9 |
41.3 |
激光器使用注意事項
1.激光器的CH1是用來改變基頻光波長的，功率默認80mW不用調(diào)；設(shè)備CH2是用來改變?yōu)V波光柵溫度的，功率默認300mW不用調(diào)；CH3是用來改變倍頻晶體溫度和設(shè)置532輸出功率的。改變基頻光波長時，對應(yīng)的光柵溫度和倍頻晶體溫度也需要隨之改變，這三者的最佳匹配值如表1所示。
2.改變基頻光波長時，需要關(guān)掉放大器功率，并且等基頻光波長、光柵溫度和晶體溫度穩(wěn)定后再開啟放大器功率，穩(wěn)定時間不超過3min，等溫度穩(wěn)定下來后再進行開光操作。
3.開光需要盡量設(shè)置小步進進行調(diào)節(jié)（最高不要超過500mW），突然大步進設(shè)置功率可能會導(dǎo)致晶體溫度變化，效率變低。
4.需要調(diào)整晶體溫度到最佳溫度再開啟APC，APC按鈕開啟后，設(shè)置8W以下 的功率會直接進行APC控制功率，8W及以上功率會延時10s,10s后等待輸出光監(jiān)測 與設(shè)置光功率相等時再進行APC控制功率。如果10s后輸出光監(jiān)測達不到設(shè)置光功 率，需要微調(diào)晶體溫度（稍微調(diào)低一點或者調(diào)高一點），使輸出光監(jiān)測與設(shè)置光功率相等（或者打開溫度自動調(diào)節(jié)按鈕，激光器會自動尋找倍頻晶體當前狀態(tài)下的最佳溫度），進行APC控制功率（當pin2監(jiān)測為0時，未開啟APC功能；當pin2監(jiān)測為1時，APC進入等待狀態(tài)，等待輸出光監(jiān)測與設(shè)置光功率相等，即開啟APC；只有當pin2監(jiān)測為2時，APC功能生效，開始自動功率控制）。
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